台积电作为全球晶圆代工龙头，在AI、先进制程及全球供应链安全需求驱动下，近年来其扩建步伐正在加快。
据台媒报道，5月15日，台积电营运副总经理张宗生在其技术论坛上提到，台积电今年在台湾地区与海外扩建9个厂，包含八个晶圆厂以及一个先进封装厂，今年3nm产能预计年增加60%。
据悉，台积电2017年到2020年平均一年建设3座新厂，2021年到2024年平均每年新建5座厂，今年将进一步加快脚步，预计全球新建9座厂，包括8座晶圆厂和1座先进封装厂。
此外，张宗生透露，位于新竹的晶圆20厂和高雄的22厂将是2nm的量产基地，两座厂皆于2022年动土兴建，并计划于今年开始投入生产。台中的晶圆25厂将于今年底开始兴建，2028年量产比2纳米更先进的技术。
而在新建厂区之外，公开资料显示，目前台积电在全球一共有26座晶圆代工厂，涵盖前端晶圆制造和后端封测工厂。在追求供应链全球化的时代，台积电通过“核心保留+区域配套”策略，将最先进制程保留在台湾，同时全球化布局成熟制程和封装厂以分散风险——3nm及以下制程85%产能部署在台湾，确保技术领先优势。
在新建厂出炉前，今天本文将带大家盘点台积电现存的26座晶圆厂区。
台积电的6英寸晶圆厂主要用于生产成熟工艺的产品，如模拟芯片、电源管理芯片等。虽然其在公司整体产能中的占比相对较小，但仍在特定领域发挥着重要作用。随着市场需求的变化和技术的演进，台积电的6英寸晶圆厂可能会继续调整其产品结构和产能布局。
图源：台积电官网
由于台积电近年将资源集中于12英寸晶圆厂（如5nm、3nm及更先进制程），6英寸厂在整体业务中的占比逐渐降低。
位置：中国台湾 新竹科学园区竹科园区
概况：台积电目前仅拥有1座6英寸晶圆厂，是其早期半导体制造布局的重要组成部分，该厂主要生产主要生产0.15μm及以上的成熟工艺产品，如传感器、模拟电路和基础功率器件，主要应用于物联网（IoT）、消费电子和工业控制领域。
技术上，主要采用0.45μm及以上成熟制程，专注于生产对先进制程需求较低的芯片，如光传感器、电源管理芯片等，
最新情况：目前仍在运营，产能未公开。
台积电的8英寸晶圆厂在全球半导体市场中仍占据重要地位，尤其是在模拟芯片、电源管理芯片、汽车电子和物联网等成熟制程领域。这些工厂的产能利用率和市场需求表现各有特点，但整体上仍为相关领域提供了稳定的产能支持。同时，随着新兴技术的发展，部分工厂也在逐步调整工艺和产能布局，以适应市场变化。
图源：台积电官网
三厂（Fab 3）
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区。
概况：2002年合并了四厂，主要工艺节点为0.15μm及以上成熟制程，主要用于生产模拟芯片、电源管理芯片等特殊工艺产品。
最新情况：目前仍在稳定运营，持续为模拟芯片和电源管理芯片等特殊工艺产品提供产能支持。
五厂（Fab 5）
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区。
概况：工艺节点为0.25-0.15μm成熟制程，专注于汽车电子、物联网（IoT）等中低端芯片制造。
最新情况：随着汽车电子和物联网市场的持续增长，五厂的产能利用率保持较高水平。
六厂（Fab 6）
位置：中国台湾南部科学园区台南园区。
概况：工艺节点为0.18μm及以上成熟制程，支持混合信号、射频（RF）等特殊工艺需求。
最新情况：六厂持续为混合信号和射频等特殊工艺需求提供产能支持。
八厂（Fab 8）
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区。
概况：工艺节点为0.18μm及以上成熟制程，服务于消费电子和工业控制领域。
最新情况：八厂的产能主要用于满足消费电子和工业控制领域的需求。
十厂（Fab 10）
位置：中国上海市松江区。
概况：工艺节点为0.35μm至0.11μm成熟制程，主要生产模拟芯片、传感器等，支持汽车电子和消费电子市场。
最新情况：十厂的产能利用率受到市场需求波动的影响，但整体仍保持稳定。
十一厂（Fab 11）
位置：美国华盛顿州克拉克。
概况：1998年投产，生产0.25-0.15μm工艺，产能未公开。
最新情况：目前仍在运营，但产能利用率和市场表现的具体数据未公开。
SSMC（新加坡合资厂）
位置：新加坡。
概况：台积电与恩智浦半导体合资，主要工艺节点为0.13μm至40nm，月产能达5.5万片，主要应用为电源管理、模拟、混合信号等工业及车用产品。
最新情况：2024年9月，SSMC获得监管机构批准，计划建设首座12英寸晶圆厂，预计2027年开始试生产。
台积电的12英寸晶圆厂在全球半导体市场中占据重要地位，覆盖从先进制程（如2nm、3nm）到成熟制程（如16nm、28nm）的广泛需求。其在中国台湾的工厂是其核心生产基地，同时在美国、日本和德国的布局也不断扩大，以满足全球客户的需求。
图源：台积电官网
十二A厂（Fab 12A）（台积电总部）
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区
概况：覆盖20nm至7nm工艺，服务于智能手机、高性能计算等领域。
最新情况：目前稳定运营，是台积电先进制程的重要生产基地。
十二B厂（Fab 12B）（研发中心）
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区
概况：主要作为研发中心，专注于2nm及以下技术的研发。
最新情况：作为2nm技术研发的核心基地，正在推进相关技术的开发。
十四厂（Fab 14）
位置：中国台湾南部科学园区台南园区
概况：覆盖16nm/20nm工艺，是台积电重要的生产基地。
最新情况：产能利用率较高，持续为客户提供16nm和20nm工艺的芯片。
十五厂（Fab 15）
位置：中国台湾中部科学园区台中园区
概况：技术节点为16nm/20nm，月产能约16.6万片。
最新情况：稳定运营，产能利用率保持在较高水平。
十六厂（Fab 16）
位置：中国江苏省南京浦口经济开发区
概况：技术节点为16nm/12nm/28nm，服务中国本地市场。
最新情况：2024年总产能达97.8万片/年，28nm工艺新增产能。
十八厂（Fab 18）
位置：中国台湾南部科学园区台南园区
概况：P1-P3量产4nm，P4-P6生产3nm，规划P7-P8扩产3nm。
最新情况：当前月产能约12万片晶圆，是台积电3nm产能的主要来源。
二十厂（Fab 20）
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区
概况：专注于2nm及以下技术，2025年试产。
最新情况：2025年试产阶段已完成5,000片风险生产，良率超60%，计划2026年底月产能达12万片。
二十一厂（Fab 21）
位置：美国亚利桑那州菲尼克斯
概况：第一晶圆厂（P1 1A）计划2025年一季度末量产4纳米，第二厂（P1 A2）2025年中投片。
最新情况：第一厂计划2025年一季度末量产4纳米，初期月产能1万片；第二厂2025年中投片。
二十二厂（Fab 22）
位置：中国台湾南部科学园区高雄楠梓园区
概况：2nm生产基地，预计2025年量产。
最新情况：2024年11月26日设备进机，预计2025年量产，月产能3万片。
二十三厂（JASM）
位置：日本熊本县菊阳町
概况：Fab 1生产22/28nm及少量12/16nm，第二厂预计2027年投产。
最新情况：Fab 1已投产，第二厂预计2027年投产。
二十四厂
位置：德国德累斯顿
概况：与博世、英飞凌和恩智浦半导体合资，专注于28nm及以上车用芯片。
最新情况：2024年第四季度动工，预计2027年底投产。
台积电的先进封装测试厂在全球半导体封装市场中占据重要地位，特别是在高性能计算和人工智能领域。其先进封装技术如CoWoS、InFO和SoIC等，已成为高端芯片制造的关键环节。随着市场需求的增长，台积电正在积极扩充产能，包括新建和改造多个先进封装测试厂，以满足未来高性能芯片的需求。
注：七厂和八厂目前尚未完工
图源：台积电官网
封测一厂
位置：中国台湾新竹科学园区竹科园区
概况：主要提供传统封装及测试服务，支持多种芯片封装需求。
最新情况：目前稳定运营，持续为客户提供传统封装测试服务。
封测二厂
位置：中国台湾南部科学园区台南园区
概况：专注于先进封装技术，包括InFO（集成扇出）和CoWoS（芯片上晶圆上基板）等。
最新情况：封测二厂目前产能利用率较高，正在积极扩充CoWoS产能。
封测三厂
位置：中国台湾新竹科学园区桃园龙潭园区
概况：提供多种先进封装技术，包括SoIC（系统整合芯片）和InFO等。
最新情况：封测三厂目前稳定运营，产能逐步提升。
封测五厂
位置：中国台湾中部科学园区台中园区
概况：专注于CoWoS先进封装技术，支持高性能计算和人工智能应用。
最新情况：封测五厂预计在2025年上半年量产CoWoS。
封测六厂
位置：中国台湾新竹科学园区苗栗竹南园区
概况：台积电第一座实现3DFabric™整合前段至后段制程暨测试服务的全方位自动化先进封装测试厂，支持SoIC、InFO、CoWoS及先进测试等多种技术。
最新情况：封测六厂已于2023年6月正式启用，预计每年创造上百万片十二英寸晶圆约当量的3DFabric制程技术产能。
封测七厂
位置：中国台湾南部科学园区嘉义园区
概况：规划建设SoIC及CoWoS先进封装技术产能，支持高性能计算和人工智能应用。
最新情况：封测七厂已于2024年5月动工，预计2026年完工，2028年投产。
封测八厂
位置：中国台湾南部科学园区台南园区（原群创南科四厂）
概况：改造为先进封装测试厂，专注于CoWoS技术。
最新情况：封测八厂预计2025年改造完成，2026年投产。
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