成都蓉矽半导体有限公司荣获“2023年度硬核芯”大奖！

2023-10-30 0 点赞 0 评论 842 浏览

分享到：

微信图片_20231031181048.jpg

2023年10月30日，第五届硬核芯生态大会暨2023汽车芯片技术创新与应用论坛圆满落幕。本届大会汇集半导体全产业链的领军者，广邀电子制造企业高管、项目负责人、电子工程师、投资者、资深学者与行业大咖同台演讲，为推动中国芯高质量发展贡献顶尖的思想和智慧。

作为压轴环节，“2023年度硬核芯评选”获奖榜单重磅揭晓。在本次评选中，成都蓉矽半导体有限公司从165家企业、183款产品中脱颖而出，一举斩获“2023年度最佳功率器件奖”一项大奖。

成都蓉矽半导体有限公司.jpg

荣获奖项

2023年度最佳功率器件奖

企业代表登台领奖

成都蓉矽半导体有限公司

640 (9).png

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。

获奖产品：NE1M120C40HT

640 (10).png

与台湾汉磊科技就SiC 6英寸工艺平台紧密合作，采用自对准、衬底减薄和基于窄P+型源区工艺与PWELL电场屏蔽、JFET区设计等先进工艺制程与设计技术。

对SiC MOSFET的性能和可靠性进行综合设计，在保障高可靠性的基础上达到静态导通损耗和动态开关损耗的最佳平衡。

兼顾比导通电阻和栅氧化层电场强度，通过优化栅氧工艺、降低栅氧化层电场强度，降低结终端曲率效应等举措提高器件鲁棒性与长期可靠性。

关于硬核芯年度活动

“芯师爷-硬核芯年度活动”由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷发起并主办，是业内聚焦飞速发展中的国内芯企业及相关创新应用项目的产业活动，旨在挖掘优秀的半导体企业，提升企业在全球范围的影响力，并联接电子终端工厂、高校院所及投资机构等合作伙伴资源对接，助力中国半导体产业发展。

“芯师爷-硬核芯年度活动”自2019年创办，迄今已成功举办四届，累积吸引约300家IC设计公司申报、30万名专业读者关注，在中国集成电路行业内获得广泛认可。

作为业内兼具高创新性和影响力的产业活动，该活动涵盖主题大会、供需对接会、晚宴盛典等板块，以专题报道、采访策划、全媒体矩阵宣传等专业服务为参选企业提供品牌曝光及资源联接，汇集半导体全产业链领军者直击新形势下中国芯的发展风口，扩大优秀中国芯企业品牌声量。

特别鸣谢奖品赞助商贸泽电子

关于贸泽电子：贸泽电子 ( Mouser Electronics )是全球授权半导体和电子元器件代理商，致力于以高效的方式向电子设计工程师和采购推广新一代产品和新技术，全面支持研发阶段的采购。Mouser.cn一个芯片也可出货，新一代产品信息和技术内容每日更新，可在线搜寻超过 1200 家品牌制造商的 3100 多万种产品，其中680 多万种产品可直接在线订购，产品涵盖的应用领域包括工业、机器人技术、物联网、新能源、汽车电子等。

来源：芯师爷作者：

标签：