库力索法推出面向新兴 NAND 与 DRAM 的全新封装解决方案

3月24日，库力索法（Kulicke & Soffa Industries, Inc. 简称：“K&S”）宣布扩展其面向存储产品的互连解决方案组合，进一步强化公司在球焊、垂直焊线、先进热压与混合键合技术领域的领先地位。

随着存储封装技术不断演进，以支持更高带宽、更高能效以及面向 AI 工作负载的更深度集成，制造商正面临晶体管微缩与传统互连密度的限制。K&S 持续专注于应对这些日益严峻的挑战，并不断开发能够满足未来技术需求的创新解决方案。公司今日重点介绍其日益丰富、覆盖面不断扩大的领先存储解决方案组合。

推出 ProMEM™ 存储封装专用工艺方案

K&S 持续推进线焊技术，以满足现代高产量存储器件对性能、精度与生产力的严格要求——其中产能、稳定性、焊点精度与良率控制至关重要。基于公司在高产量堆叠 NAND 封装方面的长期领导优势，K&S 今日推出 ProMEM 存储封装专用工艺增强套件，可在先进存储封装应用中实现更高生产力与更优的工艺控制。

ProMEM 最新能力涵盖一焊、二焊、植球（Bumping）和线弧（looping）工艺。综合使用后，可实现高达 20% 的产量提升，同时改善焊点质量，从而支持更高密度的DRAM与NAND架构。

这些增强功能使存储制造商能够延伸线焊技术的性能边界，直接支持新兴存储架构对更高互连密度与更高带宽的需求。

垂直焊线技术：支持更高堆叠密度

K&S 的垂直焊线（Vertical Wire）创新技术部署于 ATP MEM PLUS 及球焊系统，为提升堆叠存储设计的互连密度提供了一种实用且具成本效益的方法。通过将线焊拓展至垂直方向，K&S 不仅实现更高互连密度，还可缩小封装尺寸，支持堆叠式 DRAM 及新一代存储格式在高产量生产环境中的应用。

得益于 K&S 数十年积累的线焊领导力与深厚的工艺知识，公司已充分准备好支持行业快速发展3D存储。随着客户合作的不断扩大，K&S 的垂直引线技术正成为一种可扩展路径，通过成本可控的焊接技术有效支持高密度存储架构的需求，使制造商显著提升产品性能的同时保持可靠工艺的经济性。

先进热压与混合封装技术：支持最高性能存储应用

公司高度精密且可灵活配置的 APTURA™ 平台已广泛应用于先进异构集成逻辑芯片的封装生产中，如今也可应用于最前沿的高性能存储封装。

K&S 的无助焊剂热压焊（Fluxless ThermoCompression, FTC）技术，包括领先的定位精度、大气等离子技术、量产验证的甲酸蒸汽去除氧化物技术及多种材料处理配置，已推动公司在先进逻辑芯片封装客户中实现份额增长，如今这些技术也可应用于高端存储制造。此类创新能够实现极小芯片间隙、低阻直接铜铜互连、并具备行业领先的良率与产能。随着高带宽存储（HBM）、高带宽闪存（HBF）及其他高密度 DRAM 架构的普及，K&S FTC 技术将成为备受关注的可行替代方案。

公司继续预期其 TCB（热压键合）业务将在 2026 财年环比增长约 70%，并将在之后数年中， 随着逻辑与存储市场的先进封装趋势继续保持强劲增长。

与此同时，K&S也持续投资于混合封装技术开发，推出新功能与工艺创新，正吸引早期客户兴趣与合作。公司预计将在 2026 年底推出新一代先进封装系统，并欢迎行业客户与技术合作伙伴共同参与，推动这一新兴机会的发展。

统一战略：迈向下一代存储封装时代

K&S 的球焊、垂直焊线、先进 TCB 以及未来的混合封装解决方案共同构建了一个统一的存储封装技术路线图，使客户能够优化当前存储器生产，引入新的堆叠与互连方法，并为未来先进存储架构做好准备。

通过将持续创新与先进封装领导力相结合，K&S 不断拓展目标市场，并巩固其作为全球存储行业长期技术合作伙伴的地位。

欢迎莅临 SEMICON China 2026，了解 K&S解决方案组合

     K&S存储封装解决方案组合将与 K&S 其它的解决方案一同亮相于 SEMICON China 2026 ：

· 上海新国际展览中心，展馆：N3 馆，展位 3431

· 2026 年 3 月 25 日 – 3 月 27 日

     更多信息请联系您所在地区的 K&S 销售团队或访问 www.kns.com。