Gen3标准！派恩杰碳化硅三极管“正面刚”竞品

派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称“派恩杰”）是第三代半导体功率器件设计销售企业（Fabless模式）。

派恩杰持续专注于碳化硅和氮化镓的器件设计研发与产品销售，实现国有品牌替代和自主产品创新。产品有碳化硅三极管，碳化硅二极管，氮化镓三极管等。广泛应用于新能源汽车、服务器及数据中心电源、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。

派恩杰成立仅6个月时完成第一款可兼容驱动650V氮化镓功率器件。2019年8月完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS产品，填补国内空白。

产品采用6寸Gen3 SiC MOSFET技术，Specific Rdson低于3mΩ∙c㎡ ，产品可稳定量产，填补国内空白。  

①产品性能：

1200V80mΩ SiC MOSFET（P3M12080K3）属于N-Channel 增强型器件，基于Gen3技术，具有更高阻断电压和更低的导通电阻，可提升系统效率，提升功率密度，具有高开关频率，Specific Rdson（导通电阻X芯片面积）低于3mΩ∙c㎡，6寸晶圆的良率在90%以上。同时产品阈值电压大于3V，优于国内外竞品。

②价格竞争力：

国有品牌替代，研发摊销仅国外同类产品十分之一；6英寸Gen3技术，生产成本不足国产品牌的三分之一；产品交期缩短，交货周期从28-32周缩短为8-10周，竞争优势明显。

③技术创新：

国内厂商一般采用4寸晶圆和Gen1或Gen2技术，其Specific Rdson大于5mΩ∙c㎡ ，我司采用6寸晶圆并采用自对准技术，在减少光刻次数的同时降低比导通电阻，使器件比导通电阻达到Gen3的标准，可与国外同类型产品竞争。

④客户服务：

强大研发能力，支持定制化设计。国内本地化团队，响应时间短。

⑤市场销量：  

本年度取得100万产品订单，明年意向订单已突破千万。  

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